解答：ESD的失效模式分为硬击穿和软击穿;ESD和EOS的区别如下:             

  EOS               
1.典型地,由电源和测试设备产生      

2.事件持续时间在微秒~秒级. (也可能是毫微秒)   

3.损坏的现象包括金属线熔化、发热、高功率、閂锁效应  

4.短的EOS脉冲损坏看起来像ESD损坏                                  

ESD                                                          

1.ESD已经包含EOS，有限的能量,由静电荷引起                        

2.事件持续时间在微微秒~毫微秒级                                    

3.其可见性不强损坏位置不易发现                                     

4.通常导致电晶体级别的损坏。